IT之家 6 月 7 日消息，內存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進制內存，雙槽即可實現 96GB，四個內存插槽全插滿可實現 192GB 的內存容量。美光今天宣布開始量產 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當于 DDR4 內存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務器領域主要使用的內存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
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美光 DDR5
IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經完成了 1bnm 的開發，這是 10 納米工藝技術的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產品的內存程序進行驗證。海力士的 DRAM 開發主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產品所采用。英特爾內存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對
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海力士 DDR5
今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優勢。"采用差異化的工藝技術，三星業內先進的12 納米級DDR5
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執行副總裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們為滿足計算市場對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業化的下一代
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業當前正處于低谷期，三星通過量產 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數據中
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三星 DDR5 DRAM
在行業下行周期時，新技術、新產品的誕生往往會成為振奮市場的關鍵點。當下DDR5 DRAM作為存儲領域的新產品，逐漸成為各大企業競逐的焦點。據外媒消息報道，行業專家認為三星、美光等公司正大力推動DDR5內存普及，以此遏制半導體市場下滑的趨勢。公開資料顯示，DDR5 DRAM是聯合電子設備工程委員會（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規范，其性能比DDR4
DRAM高了一倍。據悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進的DRAM單元技術節點，例如D1z或D1a
(D1α)代，這是1
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三星 美光 DDR5
集邦咨詢預估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務器內存）價格跌幅將收斂，由原預估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
服務器新平臺英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機種量產在即，但近期市場上傳出服務器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問題。研調機構集邦科技（Trendforce）認為，該情況將產生兩種影響，DRAM原廠短期內將同步提升對芯源的采購比重，另外內存將停留在舊制程，因此預估第二季DDR5服務器DRAM價格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統）供應的電源管理IC無狀況，DRAM原廠短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5服務器DRAM生產仍停留在舊制程，短期內供給量難
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DDR5 服務器DRAM Trendforce
服務器新平臺Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機種量產在即，但近期市場上傳出Server DDR5
RDIMM的PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認為，該情況將產生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統）供應的PMIC無狀況，DRAM原廠短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5
Server DRAM生產仍停留在舊制程，短期內供給量難免受此事件影響，故預估第二季DDR5 Server
DRAM
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Server DDR5 RDIMM PMIC
IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導致存儲產品價格大跳水的背景下，三星電子第一季度業績營業利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產。這是自 1998 年金融危機以來，三星時隔 25 年首次制定正式減產方案。據韓國《中央日報》援引業內人士消息，三星的減產計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產品，位于華城市的內存產品線產量將削減 3 至 6 個月。消息人士表示，雖然產能有所增加（通過技術性減產），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
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存儲芯片 DDR4 DDR5 三星
近日，美光科技宣布，其用于數據中心的DDR5服務器內存產品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據介紹，美光DDR5提供的內存帶寬是前幾代產品的兩倍，這對于推動當今數據中心處理器內核的快速增長至關重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內的廣泛工作負載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數）基準測試中的性能
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美光科技 DDR5 服務器內存
IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數據中心的 DDR5 服務器內存產品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產品中完成驗證。據介紹，美光 DDR5 所提供的內存帶寬相比前幾代產品實現了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數據顯示，SPECjbb 在關鍵 jOPS（每秒 Java 運行次數）的基準測試中，性能比前代產品提升了近 49%。除了更高的內存帶寬和更強的性
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DDR5 美光
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數據中心的DDR5服務器內存產品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內存帶寬相比前幾代產品實現了翻番，為當今數據中心快速增長的處理器內核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯手，可為各
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美光 DDR5 英特爾至強
IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術的 1a 納米 DDR5 DRAM 產品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產的 DDR5 積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務器用 CPU 上
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