- IT之家 11 月 24 日消息，由于廠商減產的效果逐漸顯現，以及特定應用市場的持續強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
- 關鍵字：
閃存 DRAM NAND
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領先業界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來的數據中心工作負載。該款大容量、高速率內存模塊特別針對數據中心和云環境中廣泛的任務關鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內存數據庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對
- 關鍵字：
美光 DRAM 128GB RDIMM內存
- NAND Flash現貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內存市況確立好轉，帶動內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀察第三季內存族群財報，內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠創見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠商，則有創見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務數
- 關鍵字：
內存 ?NAND Flash DRAM
- 在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業，東芯半導體擁有獨立自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發、設計和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關鍵字：
東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
- 據TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND
Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile
DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動，華為Mate
- 關鍵字：
Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
- 受高通脹沖擊消費電子產品買氣影響，據TrendForce集邦咨詢統計，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應的領域不同，使得各家營收表現差異較大。TrendForce集邦咨詢統計，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規模，加上完整的產品供應鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
- 關鍵字：
消費電子 DRAM 模組
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
- 關鍵字：
三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
- 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
- 關鍵字：
NAND SSD DRAM
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產 1β DRAM，不過研發的目標是在 2025 年量產 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
- 關鍵字：
DRAM 閃存
- 盡管由于經濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產業身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產1β DRAM之后，計劃于2025年量產1γ
DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產，未來日本廠也有望導入EUV
- 關鍵字：
DRAM NAND 存儲
- 面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰略據韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業務，并利用其在那里的成熟節點能力來針對國內需求的產品。關于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
- 關鍵字：
CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
- 關鍵字：
存儲 DRAM NAND Flash
- 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發生變化，而且經常會在用戶未知的情況下發生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
- 關鍵字：
innodisk DRAM
- 內存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預期產業最壞情況已過。由于內存大廠近期積極減產，部分市場需求轉強，AI服務器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務長Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價格有望于2023年下半轉強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價從75美元調高到
- 關鍵字：
美光 DDR5 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
