- 采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
- 關鍵字：
CMOS EBG 制造 天線
- 本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結構的創新型結構，對于同步開關噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優秀的特性。我們設計的這款新型EBG結構，是在周期性L-bridge EBG結構的基礎上，在一些單元內插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗證，此結構具有傳統型L-bridge EBG結構所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結構上下變頻。另外，通過3-D
- 關鍵字：
EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607
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- 關鍵字：
同步開關 噪聲 超帶寬 電磁帶隙結構 EBG
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- 關鍵字：
EBG 可重構天線 U型縫隙微帶天線 方向圖可重構
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- 關鍵字：
EBG 片上天線
- 采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
- 關鍵字：
CMOS EBG 制造 天線
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