- 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
- 過去十年，天線調諧技術領域發生了巨大變化。天線變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術——它提供的調諧能力提高了設計靈活性，并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時候，科技似乎在飛速發展，日新月異——產品變得越來越小，處理速度越來越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動設備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設備使得天線更加復雜。對于工程師而言，這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時，技術開發工程師每推出一代新技術，都會做出漸進式改進，通過這種持續改善來幫
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Qorvo SOI
- 致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網絡攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯大友尚基于CVITEK和SOI產品的IPC方案的展示板圖近年來，消費電子、物聯網、工業互聯網、智能家居、智慧城市的發展，推動了智能監控技術的革新，也驅動了IPC（網絡攝像機）的需求。相比于傳統攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網絡輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網。這些特性使其
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大聯大友尚 CVITEK SOI 網絡攝像機
- 意法半導體的L99LDLH32線性穩流器為使用輕量級?CAN FD Light 協議控制動態汽車照明提供了一個簡便的集成解決方案。OLED 燈可以從很小的表面發射明亮、均勻和高對比度的光線，新驅動器與OLED完美匹配，讓設計師能夠創造復雜的圖案和光效，增強汽車的安全性和外觀設計視覺效果。L99LDLH32有32個可在1mA至15mA范圍內獨立編程的穩流電源，可以單獨驅動車內外燈具的每個像素，還提供8 位分辨率的整體調光功能。當用車輛電池電壓供電時，驅動器最高輸出電壓35 V，覆蓋較寬的發射極正向
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意法半導體 CAN FD Light 多像素驅動器 汽車照明設計
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發展的溫床。從許多方面來看，FD-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出RX 32位MCU產品家族的新成員——RX660微控制器（MCU）產品群。新產品支持5V工作電壓，為暴露在高電磁干擾下的家用電器和工業設備提供卓越的噪聲容限。RX660作為瑞薩高端RX通用MCU產品中首個支持5V的器件，也是RX產品家族中首款內置CAN FD控制器的器件，可實現高速數據通信。全新RX660 MCU的高工作電壓可以省去目前許多3V MCU所需的外部噪聲抑制元件，讓用戶能夠減少開發時間與元件成本，提高系統質量。近年來，由于功能安
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瑞薩電子 32位 MCU CAN FD
- ·????? 隨著世界經濟向數字化和脫碳轉型，新的高產能聯營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術，包括格芯排名前列的 FDX? 技術和意法半導體針對汽車、工業、物聯網和通信基礎設施等應用開發的節點低至18納米的全面技術·????? 預計該項合作投資金額達數十億歐元，其中包括來自法國政府的大筆財政支持?2022 年
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意法半導體 12英寸 晶圓廠 FD-SOI
- CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導體宣布一項新合作協議，四家公司計劃聯合制定產業之下一代FD-SOI技術發展規劃。半導體組件和FD-SOI技術創新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。FD-SOI能夠為設計人員和客戶系統帶來巨大益處，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通訊聯機和安全保護，這對汽車、物聯網和行動應用而言，其優勢是FD-SOI技術的一個重要特質。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年來，在Grenoble-Crolles生態系統中，CEA一
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CEA Soitec 格芯 意法半導體 FD-SOI
- 介紹了一種田字形單質量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片，經過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結構的巧妙設計，有效避免了平面內和垂直方向的交叉軸干擾的影響，并提高了Z軸的靈敏度。通過差分電容的設計，理論上消除了交叉軸干擾。通過仿真得到了該加速度計在3個軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結合理論分析和ANSYS仿真結果，可以得出結論：所設計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強的抗沖擊能力，在慣性傳感器領域有一定的應用前景。
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微加速度計 SOI 交叉軸干擾 靈敏度
- 半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應用的新款無引腳ESD保護器件。器件采用無引腳封裝，帶有可濕錫焊接側焊盤，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標準，同時提供行業領先的ESD和RF性能，節省了PCB空間。 Nexperia通過有引腳和無引腳封裝為CAN-FD總線提供硅基ESD保護。帶有可濕錫焊接側焊盤的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統SOT23和SOT323封裝少
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Nexperia CAN-FD 保護二極管
- 作為一家設計和生產創新性半導體材料的技術領導企業，來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導體晶圓襯底材料來助力整個信息產業的創新，通過不斷革新更優化的制造材料，確保半導體芯片能夠以更高性能和更好的穩定性提供服務。特別是伴隨著5G技術的不斷推進，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機用芯片的性能方面起到了至關重要的作用，可以說Soitec的技術是促進5G智能手機快速普及的幕后英雄之一。 當然，“幕后英雄”也因為其先進的技術獲得企業的飛速發展，Soitec全球戰略執行副總裁Thomas PILISZCZ
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Soitec RF-SOI FD-SOI
- 電子設計人員使用的工具箱日新月異。要找到適合工作的工具，不僅需要了解手頭上的任務和現有工具，還要知道如何充分利用這些工具。
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CAN FD
- 德州儀器（TI）近日推出了業界首款滿足美國汽車電子委員會（AEC）-Q100標準的0級工作環境溫度規范的數字隔離器。ISO7741E-Q1具有行業領先的1.5-kVRMS工作電壓，可支持高達150°C的0級更高溫度限值。新型隔離器使工程師能夠更好地保護低壓電路免受混合電動汽車（HEV）和電動汽車（EV）系統中高壓事件的影響，并無需在冷卻系統中進行設計，以將溫度降低到125°C（1級合規集成電路（IC）支持的溫度）以下。此外，當在系統設計中執行控制器局域網絡靈活數據速率（CAN FD）通信時，工程師可以搭配
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CAN FD IVN
- 全球領先的半導體晶圓代工廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環球晶圓（Globalwafers.Co.,Ltd）簽訂合作備忘錄(MOU)，協議表明環球晶圓將負責對格芯12英寸晶圓的長期供應。 環球晶圓是全球領先的8英寸SOI制造者之一，也是格芯8英寸SOI晶圓的長期供應商，雙方長期保持著良好的合作關系。環球晶圓也是12英寸晶圓制造商，基于雙方未來發展與穩定供應需求，環球晶圓與格芯有望緊密協作，有力擴大環球晶圓12英寸SOI晶圓生產產能。 格
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硅晶圓 SOI
- 2019年11月21日，在SPS 2019慶祝30周年展會上，CiA組織通過兩個網橋連接的網絡展示了從經典CANopen到CANopen FD的移植。那么CANopen FD的出現帶來哪些變化？這里重點介紹一下CANopen FD的特性。自1991年頒布了CAN 2.0技術規范起，CiA便一直致力于CAN協議的推廣，其中包括CAN底層（CAN數據鏈路層、CAN物理層）設計及CAN的應用層（CANopen）。CANopen協議在CiA 301中明確規定其PDO、SDO、NMT網絡管理等協議的規范，并使用經典
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NMT FD
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