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Intel 4制程技術細節曝光 具備高效能運算先進FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
- 關鍵字： Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
為技術找到核心 多元化半導體持續創新
- 觀察2021年主導半導體產業的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼?；旧习雽w技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創新必須能轉化為成本可承受的產品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環繞
- 關鍵字： CMOS FinFET ST
新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發DesignWare IP產品組合
- 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發，可應用于廣泛領域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發用于G
- 關鍵字： 新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術上開發DesignWare IP核產品組合
- 臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開發的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技（Synopsys, In
- 關鍵字： 新思 臺積合 FinFET 強化版N5P
格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案
- 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠SiFive正在合作研發將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務，可加速人工智能（AI）應用上市時間。
- 關鍵字： 格芯 人工智慧應用 12LP+ FinFET
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]
finfet專欄文章
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