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徹底弄清MOS管 (NMOS為例

  • 來自專欄芯片基礎課說來慚愧,大二學了一遍模電數電,考研專業課又學了一遍模電數電,但拿到如下這張mos管結構圖,讓我立馬說出:【這是什么型mos管,標準符號襯底的箭頭指向哪里,簡化符號柵極有沒有小圓圈,襯底該接高接低,柵極高電平導通還是低電平導通,導通電流方向是什么】的答案,時不時還真有點卡殼。這真的不能怪我們,是真的太繞了,比如PMOS管柵極居然是低電平有效,簡化圖上輸入帶圈,這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關系徹底理順,開始吧!首先,你應該已經懂得:硅中參雜電子多的話,會在那里寫個N,參雜空穴多
  • 關鍵字: 模擬電路  MOS  

MOS 管的死區損耗計算

  • MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經常是成對出現,習慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管.如果上管和下管同時導通,就會導致電源短路,MOS 管會損壞,甚至時電源損壞,這種損壞是災難行動,必須避免.由于MOS 的開通和關斷都是有時沿的,為了避免上管和下管同時導通,造成短路現象,從而引入了死區的概念,也就是上下管同時關斷的區間,如圖Figure2 中的E 和 F.死區E---tDf: 上
  • 關鍵字: MOS 管  逆變電路  

超高壓MOS在變頻器上的應用

  • 一、變頻器的定義及應用領域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術與微電子技術,通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、制動單元、驅動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業等。變頻器的作用1、調整電機的功率,實現電機的變速運行,達到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動,避免一旦電壓發生異常而導致設備的跳閘或者出現異常運行的現象。3、減少對電網的沖擊,從而有效地減少無功損耗,增
  • 關鍵字: RS瑞森半導體  MOS  變頻器  

高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應用

  • 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS,市電直接供電給用電設備再為電池充電,一旦市電供電品質不穩或停電時,市電的回路會自動切斷,電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務,直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電,不過從直流電轉換的交流電是方波,只限于供電給電容型負載,如電腦和監視器等。一、前言 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS,市電直接供電給用電設備再為電池充電,一旦市電供電品質不穩或停電時,市電的回路會自動切斷,電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務,直到市電恢復正
  • 關鍵字: MOS  

耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產品

  • 功率MOSFET最常用于開關型應用中,發揮著開關的作用。然而,在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中,當柵極到源極的電壓VGS為零時,功率MOSFET需要作為?!伴_”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET,稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關型應用中,發揮著開關的作用。然而,在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中,當柵極到源極的電壓VGS為零
  • 關鍵字: MOSFET  MOS  

如何在電源上選擇MOS管

  • 在開關電源應用MOS管的時候,在很多電源設計人員的都將采用一套公式,質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關電源應用MOS管的時候,在很多電源設計人員的都將采用一套公式,質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要,這都是對電源的效率有直接的影響,主要是傳導損耗和開關損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
  • 關鍵字: MOS  

功率放大器電路中的三極管和MOS管,究竟有什么區別?

  • 學習模擬電子技術基礎,和電子技術相關領域的朋友,在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管(MOS管)了。那么三極管和MOS管有哪些聯系和區別呢?在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢?學習模擬電子技術基礎,和電子技術相關領域的朋友,在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管(MOS管)了。那么三極管和MOS管有哪些聯系和區別呢?在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢?首先我們明確一下二者的概念三極管:全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控
  • 關鍵字: 功率放大器  MOS  

短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

  • MOS 晶體管正在按比例縮小,以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少,進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。MOS 晶體管正在按比例縮小,以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少,進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
  • 關鍵字: MOS  晶體管  

功率MOS管損壞的典型

  • 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發生破壞的現象。第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:第二種:器件發熱損壞由超出安全區域引
  • 關鍵字: MOS  

巧用MOS管的體二極管

  • 用過MOS管的小伙伴都知道,其內部有一個寄生二極管,有的也叫做體二極管。PMOS管做開關用,S極作電源輸入,D極作輸出,當Vsg大于閾值電壓,MOS管導通,一般MOS管的導通內阻都很小,毫歐級別,過幾安培的電流,壓降也才毫伏級別,此時體二極管是截至狀態的。用過MOS管的小伙伴都知道,其內部有一個寄生二極管,有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關用,S極作電源輸入,D極作輸出,當Vsg大于閾值電壓,MOS管導通,一般MOS管的導通內阻都很小,毫歐級別,過幾安培的電流,壓降也才毫伏級別,此時體二極管是截至狀
  • 關鍵字: MOS  二極管  

世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業電源供應器方案

  • 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來,硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發現了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體,它們具有獨特的優勢和優越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
  • 關鍵字: NCP51820  安森美  半導體  電源供應器  GaN MOS Driver  

放大器設計:晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區別

  • 晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識,這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管:BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關,它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關,晶體管類似于繼電器,因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開,這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構建許多有
  • 關鍵字: 放大器  晶體管  MOS  BJT  

RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用

  • 開關電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置,也是一種以半導體功率器件為開關管,控制其關斷開啟時間比率,來保證穩定輸出直流電壓的電源。開關電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置,也是一種以半導體功率器件為開關管,控制其關斷開啟時間比率,來保證穩定輸出直流電壓的電源。在目前電子產品的飛速增長中,開關電源憑借其70%~
  • 關鍵字: 瑞森半導體  MOS  開關電源  

TP4054 TP4056 TP4057專業電源管理IC MOS

  • 極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內部帶有電池反接保護及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4~6V,靜態工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護和指示燈??勺鳛镾MT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
  • 關鍵字: 充電IC  TP4054  TP4056  TP4057  電源管理IC  MOS  

基于英飛凌數位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

  • 隨著USB PD產品的廣泛應用與普及化,Infineon推出全新數位共振返馳式PWM電源控制芯片,此一架構除較現行客戶常使用之ACF架構更具競爭力,在電路設計上相對容易,還可減少元件數量,且數位化的設計界面可滿足不同輸出瓦數的產品應用,提高在設計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片,借由數位控制與參數設定功能來改變輸出電壓,藉以符合各種不同產品的應用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片,可大幅度提高效率與功率密度的表現,更可以減少客戶的產品設計與開發
  • 關鍵字: Infineon  Mos  Charger  AdapterXDPS2201  CYPD3174  
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mos介紹

MOS 金屬氧化物半導體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說,絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。 [ 查看詳細 ]

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