三端穩壓器是一種可以用來對電源進行降壓的簡單電子器件。由于降壓部分直接因發熱而成為熱損耗，因此在從很高的電壓降壓時或在大電流條件下使用時，需要安裝合適的散熱器。研究發現，溫度每升高2℃，電子元器件的不良率就會增加10%，因此，適當的散熱設計對于提高電子元器件的可靠性和延長使用壽命而言至關重要。1 三端穩壓器的最大電流取決于溫度三端穩壓器有多種類型，其最大輸出電流涵蓋0.5A到2A的范圍。但是，在最大電流條件下使用時，需要配備合適的散熱器。在三端穩壓器的技術規格書中，列出了單獨使用IC時和帶散熱器使用IC時
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ROHM 穩壓器 散熱
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款面向汽車內飾的RGB貼片LED*1“SMLVN6RGBFU”，非常適用于儀表盤和CID（Center Information Display）*2等車內功能和狀態顯示用的指示燈*3，以及腳燈和門把手燈等裝飾照明應用。近年來，隨著汽車電子化程度的提高和功能多樣化的發展，車速自動控制、車距檢測、車道線檢測等各種駕駛輔助功能得以廣泛應用。為了用儀表盤等的指示燈顯示這些功能的工作狀態，業內對于能夠表現各種顏色的RGB貼片LED的需求日益高漲。另外，對使用R
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ROHM 汽車內飾 貼片LED 色差問題
全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM 650V GaN HEMT
新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業設備的工作
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ROHM 超低導通電阻 Nch MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業設備功率模塊
在實際的電路設計工作中，降噪是的一項重大課題，通常，可以通過提高開關器件的柵極電阻來抑制噪聲，但其代價是效率降低（損耗增加），因此很好地權衡柵極電阻值的設置是非常重要的。在本文中，我們來探討當將開關器件的損耗抑制在規定值以下時，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實際裝機評估，所以在這里省略噪聲相關的探討。關鍵要點?增加開關元件的柵極電阻會抑制噪聲，但與之存在權衡關系的效率會降低，因此很好地權衡柵極電阻值的設置是非常重要的。?將開關器件的損耗抑制在規定值以下時，其最大柵極電阻RG可以通過仿真來確認。
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ROHM PFC
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載和工業設備中的大功率應用，開發出12W級額定功率的業界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對已在15W級額定功率產品中達到業界超小級別的“PSR330”和“PSR100”，還計劃推出0.2mΩ 的產品，以進一步增強“PSR系列”的產品陣容。在工業設備的功率模塊中，早已出現了內置分流電阻器的產品。近年來，在xEV的主驅逆變器中，為了減小外殼尺寸，在模塊兩側配置散熱機構的薄型功率模塊逐漸增加，在其中內置分流電阻器的需求也日益高漲。然而
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雙面散熱功率模塊 ROHM 分流電阻器 PSR350
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
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ROHM GaN器件 超高速驅動控制
本系列連載將介紹電力電子相關的基礎知識和各種小知識。本系列涉及到的內容很廣泛，涵蓋從基礎知識到應用部分的豐富內容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又拿不準自己是否已經理解了”的人。第一個應該了解的要數“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機時，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學者來說，掌握晶體管的使用方法有點難。剛開始電子制作時使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開關等，幾乎都是兩個引腳，而晶體管卻有三個引
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ROHM 電源設計 ZVS
本系列連載將介紹電力電子相關的基礎知識和各種小知識。本系列涉及到的內容很廣泛，涵蓋從基礎知識到應用部分的豐富內容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又拿不準自己是否已經理解了”的人。第一個應該了解的要數“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機時，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學者來說，掌握晶體管的使用方法有點難。剛開始電子制作時使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開關等，幾乎都是兩個引腳，而晶體管卻有三個引
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ROHM 晶體管
與以往結構相比，安裝面積減少約46%！輸入電壓范圍為－0.2V～＋26V，非常適用于12V和24V電源應用的電流檢測用途全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向無線基站、PLC*1 和逆變器等工業設備領域以及白色家電等消費電子領域，開發出更節省空間的高精度電流檢測放大器IC“BD1421x-LA系列”。近年來，越來越多的應用產品需要具備電流檢測功能。例如，要想改善電機效率和實現異常檢測等目標，就需要提高電流檢測精度。另外，還需要減少安裝面積。在以往結構（運算放大器+分立器件）中，存在元器件精
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ROHM 電流檢測放大器
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對車載信息娛樂系統和車載組合儀表等應用，成功開發出適用于中型車載顯示器的4通道LED驅動器IC“”、“BD83A14EFV-M”，以及適用于大型車載顯示器的6通道LED驅動器IC“BD82A26MUF-M”。近年來，隨著ADAS（高級駕駛輔助系統）的發展和車載信息娛樂系統的功能增加，車載顯示器的尺寸日趨增大。這就要求用于車載顯示器液晶背光的LED驅動器具有更高的驅動效率，能夠在提高額定輸出電流的同時降低功耗。此外，如果車載顯示器出現閃爍，其視認性將會降低
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ROHM 液晶背光 LED驅動器 車載顯示器
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對需要進行物質檢測的便攜設備、可穿戴和可聽戴設備，確立了1608尺寸（1.6mm×0.8mm）業界超小的短波紅外*1（以下簡稱SWIR：Short Wavelength Infrared）器件量產技術。?SWIR利用了水、冰和氣體等吸收特定紅外波長的特性，在感測領域的應用備受期待。這種產品不僅可用來檢測物質的有無和成分的多少，還可以用作醫療領域的血氧飽和度和血糖檢測裝置的光源，在食品領域還可用來檢測蔬菜和水果的含水量和含糖量等。另外，在便攜設備
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ROHM 超小短波紅外 SWIR
羅姆今年發布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續瞄準他們之前取得成功的車載充電器市場。在產品發布聲明中，羅姆聲稱其第4代產品“通過進一步改進原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統產品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關損耗比我們的上一代碳
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羅姆 ROHM MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出支持高達45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側*1LDO穩壓器*2（以下簡稱“LDO”）“BD7xxL05G-C系列”（BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C），該系列產品非常適用于各種冗余電源*3，用于車載應用中，可提高車載電源系統的可靠性。近年來，隨著ADAS（高級駕駛輔助系統）等的發展，要求為這些應用供電的車載電源系統具有更高的可靠性。因此，越來越多的車載電源系統都開始配備冗余電源，以
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ROHM 一次側LDO
rohm介紹
Rohm株式會社為全球知名的半導體生產企業，ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業,在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業規模，憑借被稱為"超常思維"的創新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [
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