格芯(GF)和領先的半導體IP提供商Dolphin
Integration今日宣布，雙方正在合作研發自適應體偏置(ABB)系列解決方案，提升格芯22nm FD-SOI
(22FDX?)工藝技術芯片上系統(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物聯網和汽車等多種高增長應用?！ ∽鳛楹献魇乱说囊徊糠?，Dolphin
Integration與格芯正在共同研發ABB系列解決方案，加速并簡化SoC設計的體偏置實施方案。ABB具備特有的22FDX功能，可以讓設計師利用正向及反向體偏置技術，動態地補償工藝、
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格芯 FD-SOI
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體
(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)在IEDM2018國際電子器件展會上，公布了內置嵌入式相變存儲器(ePCM)的28nm
FD-SOI汽車微控制器(MCU)技術的架構和性能基準，并從現在開始向主要客戶提供基于ePCM的微控制器樣片，預計2020年按照汽車應用要求完成現場試驗，取得全部技術認證。這些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器，將被用于汽車傳動系統、先進安全網關、安全/ADAS系統以
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意法半導體 FD-SOI
作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，Soitec半導體公司于2018年9月18日至19日參加了在上海由SOI國際產業聯盟舉辦的第六屆FD-SOI高峰論壇暨國際RF-SOI研討會(Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop)。來自國際頂級半導體公司、科研院所、投資機構和政府部門的業內精英在本屆高峰論壇上就FD-SOI和RF-SOI在人工智能、邊緣計算(Edge computing)、5G網絡連接技術中的應用等話題進行了探討
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Soitec FD-SOI
在許多人眼中，中科院院士、中科院上海微系統與信息技術研究所所長王曦既是一位具有全球視野的戰略科學家，也是一位開拓創新而又務實的企業家。他帶領團隊制備出了國際最先進水平的SOI晶圓片，解決了我國航天電子器件急需SOI產品的“有無”問題，孵化出我國唯一的SOI產業化基地。
他在上海牽頭推進了一批半導體重大項目——12英寸集成電路硅片項目有望填補我國大尺寸硅片產業空白。3月23日，王曦榮獲上海市科技功臣獎。
從下圍棋中得到啟發
空間輻射會對衛
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SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業內首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術是格芯最先進的RF SOI技術，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應用的前端模塊(FEM)帶來顯著的性能、集成和面積優勢?！ 「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產線上制造具有出色開關性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產品。與上一代產品相比，該技術可以將功耗降低至70%，實現更高的電
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格芯 RF-SOI
5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增?！ ?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現場，發表主題為「以SOI技術制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進SOI技術的發展，介紹公司最新技術成果的同時也總結了SOI技術的現狀，并暢想了產業的未來?！ ￡P于
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格芯 FD-SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯網芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車雷達、WiGig、衛星通信以及無線回傳等新興高容量應用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?！ ≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術結合，為集成單芯片系統解決方案提供支持。該技術在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實現最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應用，
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格芯 FD-SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性?！ ≌缃谠诿绹故镜?，格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時能使數據在125°C環境下保留10年以上。
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格芯 FD-SOI
預計半導體和代工市場將在2016-2020年出現強勁成長，半導體年復合增長率達4.4%，代工業年復合增長率達7.1%，而且中國代工廠的年復合增長率更高，達20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后，向部分國內媒體介紹了格芯對全球半導體市場的看法及其業務擴展計劃。
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半導體市場 FD-SOI 22FDX 12FDX 代工 20170203
全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產線，GF占51%，并引入中國半導體業非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術。
“格芯”之所以引起業界關注有兩點：
1)與廈門的”聯芯”一樣是合資企業，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式;
2)導入SOI技術，目前計劃是2018年開始成熟制程量產，以及2019年是22納米的FD-SOI技術量產。
為什么SOI技術對于中國是個亮點?
在摩爾
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SOI 格芯
近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
在今年，業界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較，轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑，例如：該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
終于，現在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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智能手表 FD-SOI
日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產業聯盟稱，RF-SOI生態系統現已建立完善，并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術，占據了95%的市場份額，該系統有利于IoT連接和5G的發展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創新和突破性的方案。
目前，RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，具有性能高、成本低等優勢。上海新傲科技股份有限公司總經理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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RF-SOI 5G
格羅方德9月8日發布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德 FD-SOI
soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SO [
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