- 美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
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格羅方德 FD-SOI
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
- 身為記者，我有時候會需要經過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關宣傳稿，然后才能把許多線索串聯在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一個例子。
我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產業人士討論技術的過程中，發現FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關于這個技術，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
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晶圓 FD-SOI
- Peregrine半導體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術的奠基者和先進射頻解決方案的先驅，宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數字步進衰減器以及一個數字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調諧靈活性極強，對于兩路動態負載調制放大器結構，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
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Peregrine SOI MPAC
- 全球領先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設計工具包(Process Design Kit，PDK)。這標志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過驗證，并正式投入供客戶設計開發使用。工藝設計工具包(PDK)的推出可協助客戶快速完成高質量射頻器件的設計與流片。
華虹半導體的0.2微米SOI工藝平臺是專為無線射頻前端開關應用優化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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華虹半導體 SOI
- 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續發展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續17年公布可持續發展報告。報告內容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續發展戰略、政策和業績，并例證了可持續發展計劃如何在企業經營中發揮重要作用，為所有的利益相關者創造價值。
意法半導體公司總裁兼首席執行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續發展的重要性，20年來，可持續發展已成為意法半導體核心戰略的
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意法半導體 FD-SOI 可持續發展
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IBM RF芯片 代工升級 制程技術 SiGe SOI
- Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術的創始人、先進的射頻解決方案之先驅，今天，在電子設計創新會議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業中第一個可重構射頻前端(?RFFE?)系統。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設計──?
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Peregrine 射頻 SOI
- 針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構，將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結構，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結果表明：動態輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
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紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關，其插入損耗堪稱智能手機市場業界最低，尺寸堪稱業界最小。該產品即日起交付樣品。
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東芝 射頻天線 SOI
- 電子技術的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活，意法半導體執行副總裁兼數字融合事業部總經理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業戰略及技術演進。
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ST 機頂盒 多媒體處理器 FD-SOI
- 隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續航能力至少
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助力 平臺 NovaThor 下一代 FD-SOI:
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節點，直接往14nm、接著是10nm發展。
根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SO [
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