12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。
FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設
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ST 晶圓 FD-SOI
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。
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意法 納米 FD-SOI
華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產品量產后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現量產。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現量產的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經全面掌握了SOI工藝技術，具備了根據市場需求持續開發具有自主知識產權的SOI工藝技術能力。
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華潤微電子 半導體 SOI
華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產品量產后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現量產。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現量產的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。
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華潤上華 SOI CDMOS
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設
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意法 芯片 FD-SOI
CCFL和LED是當前LCD僅有的兩種背光源，CCFL是傳統的背光方式，而LED作為LCD背光的后起之秀，正在迅速搶占LCD背光市場。電視機廠商和面板廠商之所以積極推動LED背光液晶電視，原因在于全球各國的耗電量規定以及其環保
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TV 背光 方案 成本 LED 降低 200V SOI 工藝 有效 利用
隨著智能功率IC的發展.其應用領域和功能都在不斷地擴展。而作為智能功率IC中的重要一類柵驅動IC在功率開關、顯示驅動等領域得到廣泛應用。在柵驅動電路中需要電平位移電路來實現從低壓控制輸入到高壓驅動輸出的電平轉
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電平 位移 電路設計 技術 集成 SOI 高壓 基于
隨著半導體產業向22納米技術節點外觀的發展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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SOI 體硅 FinFET
ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術。
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ARM 45納米 SOI
據ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發表。
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ARM 45nm SOI 測試芯片
在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經達到兩位數水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設備。
據稱目前Intel 32nm Bulk制程技術的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經進入正式量產階段，在32nm制程方面他們顯然又領先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
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GlobalFoundries 32nm SOI
法國SOI技術公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷售額為4390萬歐元(約合6190萬美元)，環比增長22.3%，同比減少27.2%。
6月，Soitec在收到了主要客戶的急單之后，大幅上調了第一財季的預期，預測第一季度銷售額環比增長20%。
第一季度，Soitec稱晶圓銷售收入為4110萬歐元(約合5790萬美元)，環比增長30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環比增長35%。
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SOI 晶圓
Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業務、設計服務團隊之后，這次延攬建廠、廠務人才并將目標鎖定半導體設備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務事業群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設備系統與IBM技術平臺。
Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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GlobalFoundries 晶圓 半導體設備 SOI
Global Foundries制造系統與技術副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術，未來將持續延攬來自各界半導體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數轉進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。
競爭對手臺積電45/40
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GlobalFoundries 40納米 晶圓代工 SOI
新聞事件：
韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影響：
將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業應用等前景好的市場
LS預計于2010年1月在天安市的生產基地開始量產CIPOS模塊
韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發、生產與行銷。
合
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英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術 SOI
soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SO [
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